2022年芯片十大品牌榜公布，美國英特爾排名第一，美國高通排名第二，中國海思排名第三。韓國三星排名第四，中國聯(lián)發(fā)科技排名第五，美國英偉達排名第六，美國博通排名第七，美國德州儀器，排名第八，美國AMD排名第九，韓國海力士排名第十。美國獨占六席 ，韓國、中國各兩席。

華為將會在明年推出盤古M系列芯片，主要是用在PC等設備上，采用了是14nm工藝。部分中端麒麟芯片也將會回歸，可能會采用14nm工藝和N+1工藝。畢竟，14nm工藝已經(jīng)規(guī)模量產(chǎn)，而N+1工藝也實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。這類芯片將會用在華為手機等移動設備上。

華為將會在2023年獲得部分5G芯片，讓華為5G手機回歸。目前已經(jīng)有多家國內(nèi)廠商能夠自主研發(fā)制造5G芯片，像力通通訊、富滿微都量產(chǎn)了5G芯片，前者可用于5G基站等，采用28nm工藝，后者可用于手機等移動設備。上海方面已經(jīng)宣布國產(chǎn)CPU、5G芯片已經(jīng)取得了突破，這意味著華為在明年在會有部分5G芯片可用。

華為已經(jīng)發(fā)布了多個堆疊技術(shù)芯片相關的專利，主要涉及芯片拼接方式、功耗等，未來將會采用堆疊技術(shù)的芯片，用面積換性能。

一種芯片堆疊封裝及終端設備，涉及半導體技術(shù)領域，其能夠在保證供電需求的同時，解決因采用硅通孔技術(shù)而導致的成本高的問題。該芯片堆疊封裝包括：設置于第一走線結(jié)構(gòu)和第二走線結(jié)構(gòu)之間的第一芯片和第二芯片;所述第一芯片的有源面面向所述第二芯片的有源面;第一芯片的有源面包括第一交疊區(qū)域和第一非交疊區(qū)域 。

這也就意味著華為正在努力解決芯片短缺的問題，而且華為堆疊芯片設計思路是將兩枚芯片采用了上下堆疊的方式進行封裝。簡單來說就是采用面積換性能，用堆疊換性能，使得不那么先進的工藝也能持續(xù)讓華為在未來的產(chǎn)品里面，能夠具有競爭力。華為明年將會推出自研的堆疊技術(shù)，可能會是采用雙14nm芯片或者N+1芯片進行堆疊，從而獲得高性能的芯片。當然，華為自研的堆疊芯片很大可能會優(yōu)先用在PC等設備上，經(jīng)過進一步驗證后，才可能會用在手機等移動設備上。