4月24日，臺積電在其舉辦的2025年北美技術(shù)論壇上曝光了下一世代先進邏輯制程技術(shù)A14（即1.4nm制程技術(shù)）。臺積電表示，A14制程技術(shù)計劃于2028年開始生產(chǎn)，截至目前開發(fā)進展順利，良率表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期進度。

據(jù)悉，與2025年稍晚時間進入量產(chǎn)的N2制程相比，A14將在相同功耗下，提升15%的速度；或在相同速度下，降低30%的功率，同時邏輯密度增加超過20%。臺積電將其TSMC NanoFlex標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)發(fā)展為NanoFlex Pro，以實現(xiàn)更好的效能、能源效率和設(shè)計靈活性。

臺積電表示，A14制程技術(shù)體現(xiàn)了公司在N2制程上的重大進展，此技術(shù)旨在通過提供更快的運算和更好的能源效率來推動人工智能（AI）轉(zhuǎn)型，并有望通過增強終端AI功能（on-board AI capabilities）來強化智能手機功能。

臺積電董事長魏哲家表示：“我們的客戶不斷展望未來，而臺積電的先進技術(shù)和制造為他們提供了可靠的創(chuàng)新藍圖。臺積電的先進邏輯技術(shù)，例如A14，是連接實體和數(shù)字世界的全方位解決方案組合的一部分，促進客戶創(chuàng)新，推動AI未來。”

值得關(guān)注的是，此次除了A14，臺積電還發(fā)布了新的邏輯制程、特殊制程、先進封裝和3D芯片堆棧技術(shù)，應(yīng)用于高性能計算（HPC）、智能手機、汽車和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等領(lǐng)域。

具體來看，在高性能計算領(lǐng)域，臺積電持續(xù)推進晶圓上芯片基板(CoWoS) 技術(shù)，計劃于2027年實現(xiàn)9.5 reticle size CoWoS 的量產(chǎn)，將12個或更多HBM 堆棧與臺積電領(lǐng)先的邏輯技術(shù)集成在一個封裝中。在智能手機領(lǐng)域，臺積電通過其最新一代的射頻技術(shù)N4C RF支持邊緣設(shè)備滿足AI需求。N4C RF技術(shù)計劃在2026年第一季進入試產(chǎn)。在汽車領(lǐng)域，臺積公司通過N3A制程滿足客戶需求，目前N3A正處于AEC-Q100第一級驗證的最后階段，并不斷改良。在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，臺積電表示，公司先前公布的超低功耗N6e制程進入生產(chǎn)，其將繼續(xù)推動N4e拓展未來邊緣AI的能源效率極限。

責(zé)任編輯：楊鵬岳