全球性的存儲芯片短缺，不僅體現(xiàn)在價格跳漲、產能爭奪和下游終端廠商的成本壓力，也在影響每一個人的日常決策。在3月27日舉辦的MemoryS 2026上，閃存市場總經理邰煒在演講開篇分享了一個小故事：昨天入住酒店時，他碰到的每一位嘉賓都問他存儲還會缺多久，連酒店的客戶經理都問了同樣的問題，原來這位經理正在考慮把舊電腦的內存條拆下來賣掉。

在大模型、智能體等AI范式的部署競速期，數據產生的方式、速度、規(guī)模已經遠遠超出了人們的想象，對存儲芯片的需求呈現(xiàn)線性暴漲態(tài)勢。邰煒表示，存儲行業(yè)的焦點已經從"看誰更便宜"，轉向"看誰能拿到貨"。本次存儲的價格上漲完全不同于以往的周期性價格反彈，而是一次長周期的范式轉移。

哪些規(guī)格的存儲產品特別缺？

過去幾十年，存儲一直被視為行業(yè)周期的晴雨表。但如今，存儲迎來了真正意義上的“時代拐點”，從BOM表的成本項上升為AI計算的戰(zhàn)略資源，也從周期性產品變成數字經濟的核心競爭力。

而存儲重要性的直線上升，本質上是由于AI時代數據生成方式的變化。邰煒指出，數據的生成方式正從傳統(tǒng)的“用戶數量設備數量×數據精度×使用時間”走向“大模型個數×大模型參數×多模態(tài)×再訓練時間×設備”。相比曾經由用戶寫文檔、拍照、拍視頻產生的數據，當前及未來由海量大模型的多模態(tài)參數所不間斷產生的數據規(guī)模，帶來了遠超想象的存儲空間需求。

“我們預計2026年全球存儲市場規(guī)模將突破6000億美元，數倍于以往的任何時期?！臂樥f道。

2017-2027年全球存儲市場營收（CFM預測）

在數據中心服務器這一AI算力基礎設施上，存儲容量正大幅提升。通用服務器的存儲需求通常包括512GB~1TB的DDR5（單系統(tǒng)）、4TB及以下的eSSD（每機架單位）；而AI服務器的DDR5需求在1.5TB~4TB（單系統(tǒng)），eSSD需求為4/8TB并逐步向8/16TB提升，還需要HBM3E或HBM4。

邰煒指出，大模型的訓練、推理、微調以及多模型應用等每一個環(huán)節(jié)都把存儲的帶寬和容量拉到極致。HBM從小眾高端產品一舉變成AI時代的石油；大容量DDR5內存成為AI服務器標配；企業(yè)級SSD不僅是存儲的載體，更成為整個算力架構突破性能瓶頸的關鍵。

從具體規(guī)格來看，哪些存儲產品的需求會格外緊俏？

DRAM方面，DDR5-6400（6400頻率的DDR5）需求將在2026年上漲，DDR5-7200和DDR5-8000將在2027年加速落地；PCIe6.0 SSD在服務器的滲透開始加速；美光科技與英偉達聯(lián)合開發(fā)的SOCAMM、基于LPDDR的MRDIMM等也開始大量應用；LPDDR不再是手機和超級本的專屬存儲，服務器、汽車等領域都將搶奪LPDDR產能。

NAND方面，隨著AI短上下文演變?yōu)殚L上下文，KV Cache占用的存儲空間會隨著token數量和并發(fā)請求量而線性暴漲。HBM無法承受如此量級的存儲，因此KV Cache的需求開始大規(guī)模轉向NVMe SSD，驅動eSSD成為2026年NAND最大的應用市場。

價格和產能走勢如何？

由于AI服務器需求的爆發(fā)性增長，存儲供應端的結構性錯配和短缺已成常態(tài)。面對這種情況，全球頭部原廠做出了同一個選擇：將最先進的產能優(yōu)先投向AI存儲產品。這種產能分配，導致成熟制程、消費級產能被持續(xù)擠壓。行業(yè)庫存水位降至歷史安全線以下。邰煒預計，2026-2027年存儲產能增量有限。

“在這一階段，有些產品剛從原廠下線就被立刻插入客戶的服務器中，這在以往是不可想象的。盡管存儲企業(yè)開始增加資本支出以擴張產能，但存儲產能擴張周期往往長達18至24個月，最早要到2027年才有新產能釋放。而新釋放的產能也滿足不了市場需求，供應問題在短期內難以緩解?！臂樦赋觯八晕覀兣袛?，在2026年，全球沒有任何一款主流的AI產品能夠做到供需完全平衡?！?/p>

同樣值得注意的是，全球頭部存儲原廠在經過幾輪的“巨虧周期”以后，不再盲目擴產，而是“紀律性增產”，優(yōu)先提供高技術、高價值、高壁壘的產品。這也導致供應彈性下降，未來波動收窄，但利好整個行業(yè)的長期景氣。

從先進產品來看，HBM憑借3D堆疊結構和TSV技術，已經實現(xiàn)了遠超傳統(tǒng)DDR的內存帶寬，定義了當前技術的天花板。在HBM3e和HBM4中，混合鍵合技術正逐漸取代傳統(tǒng)的微凸塊，成為推動HBM性能升級的新核心；2.5D和3D封裝也在系統(tǒng)集成中起到關鍵支撐作用。此外，Base Die將是HBM的下一個決勝點。為了讓計算和存儲靠得更近，很多計算能力會下放給Base Die。

NAND的發(fā)展也將更具備價值導向，加速高附加值的企業(yè)級SSD和下一代存儲技術滲透。隨著300層以上NAND大規(guī)模量產，成本將持續(xù)下探，高可靠性、低延遲、高壽命將成為新的定價標尺。

邰煒預計2026年存儲價格全年維持上漲

在價格方面，存儲價格從2025年第四季度起迎來“史詩級上漲”。合約價、現(xiàn)貨價同步跳漲，并向渠道、模組、整機全線傳導。存儲的焦點已經從"看誰更便宜"，轉向"看誰能拿到貨"。

“很多人問我們價格什么時候會下跌，我們認為這完全不同于以往的周期性價格反彈，而是一次長周期的范式轉移。”邰煒說道。不過，存儲產品價格在經歷連續(xù)三個季度大漲以后，預計從今年第三季度開始，漲價趨勢放緩并逐漸收斂，但在具體產品線存在分化。

面向高漲的景氣和供需的錯配，邰煒認為“要在繁榮之下保持足夠的冷靜”，一方面要警惕AI投資過熱帶來的階段性波動，資本涌入、項目扎堆，都可能導致短期需求透支；另一方面，要警惕價格過快上漲對下游需求的抑制，存儲漲價最終要由終端承擔，過度透支需求會反噬整個生態(tài)。

邰煒還向存儲供給端和需求端提出建議。對于供給端，要堅持理性擴產，平衡AI與消費、高端與基礎，用長協(xié)、共贏、穩(wěn)定供給替代短期博弈。對于需求端，一要提前規(guī)劃、多元供貨，意識到鎖產能比談價格更重要；二要擁抱新技術架構，從被動買存儲轉向主動優(yōu)化存儲；三要與上游聯(lián)合定義產品，共同應對市場變化。

責任編輯：張心怡