想當(dāng)年HBM顯存剛剛面世時(shí)，世人都被它512GB/s的位寬所折服，而搭載它的R9 NANO更是成為了眾多玩家的一張神卡。第二代的HBM早前就在NVIDIA發(fā)布帕斯卡GP100顯卡時(shí)就曾和我們見過面，不過當(dāng)時(shí)只是展示而已。然而HBM2顯存還沒正式和我們見面，三星和海力士就為再下一代的研發(fā)做準(zhǔn)備。

三星HBM2顯存

海力士和三星共同在研發(fā)新一代的HBM顯存，三星可能把新一代的HBM顯存稱為：xHBM或者ExtremeHBM，而海力士則把下一代的HBM顯存稱為：HBM3或者HBMx，不過無論怎么稱呼新一代的HBM都無所謂，玩家們只關(guān)心它們的性能到底如何。

目前HBM2每層的DRAM可以提供256GB/s的位寬，而未來的HBM3將會(huì)翻一番，每層DRAM將達(dá)到512GB/s。另外，據(jù)消息稱新一代的HBM顯存單顆容量有望達(dá)到64GB，不過按照目前的情況來看64GB可能更多的是給專業(yè)級(jí)顯卡使用。最后令人興奮的一點(diǎn)是，下一代的HBM顯存有望把成本大幅度降低，屆時(shí)玩家就能以更低的價(jià)格買到搭載更強(qiáng)顯存的顯卡了。

（原標(biāo)題：三星和海力士開始進(jìn)行HBM3研發(fā)：單顆64GB?。?/p>