快科技8月21日消息，據(jù)媒體報(bào)道，英偉達(dá)宣布將自研基于3nm工藝的HBM內(nèi)存Base Die，預(yù)計(jì)于2027年下半年進(jìn)入小規(guī)模試產(chǎn)階段，此舉旨在彌補(bǔ)其在HBM領(lǐng)域的技術(shù)與生態(tài)短板。

未來，英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈將轉(zhuǎn)向采用“內(nèi)存原廠DRAM Die + 英偉達(dá)自研Base Die”的組合模式，標(biāo)志著其在高性能計(jì)算存儲(chǔ)架構(gòu)中進(jìn)一步深化垂直整合。

HBM已成為打破AI芯片“存儲(chǔ)墻”的關(guān)鍵。從A100到Blackwell Ultra系列，HBM在芯片物料成本（BOM）中的占比已超過50%。目前該市場由SK海力士、三星和美光主導(dǎo)，其中SK海力士市占率最高。

隨著HBM4時(shí)代的到來，傳輸速率需突破10Gbps，Base Die必須采用先進(jìn)邏輯制程，其制造將依賴臺(tái)積電等晶圓代工廠。

英偉達(dá)自研Base Die不僅為了增強(qiáng)供應(yīng)鏈議價(jià)能力，更著眼于引入高性能特性，提升HBM與GPU/CPU間的數(shù)據(jù)傳輸效率，進(jìn)一步鞏固其對(duì)NVLink-Fusion開放架構(gòu)生態(tài)的掌控。

這一戰(zhàn)略將沖擊現(xiàn)有存儲(chǔ)芯片廠商。英偉達(dá)的入局將打破以SK海力士為代表的存儲(chǔ)原廠的技術(shù)壁壘，使其角色從整體解決方案提供者轉(zhuǎn)向組件供應(yīng)商。同時(shí)，混合鍵合、新型中介層等配套技術(shù)的需求預(yù)計(jì)將大幅增長，推動(dòng)上游材料與設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

盡管英偉達(dá)自研Base Die方案可能難以被CSP大廠直接采用，但其模組化設(shè)計(jì)有望使聯(lián)發(fā)科、世芯等合作伙伴受益。隨著英偉達(dá)與SK海力士競相推進(jìn)HBM4量產(chǎn)進(jìn)程，HBM市場即將迎來新一輪競爭與格局重塑。